1. 場效應(yīng)管和晶閘管的區(qū)別是什么？

場效應(yīng)管和晶閘管的區(qū)別是什么？

場效應(yīng)管和晶閘管都是常見的功率負載驅(qū)動器件

雖然場效應(yīng)管和晶閘管都是由P型和N型半導(dǎo)體構(gòu)成，樣子也長得非常像，但它們的功能是完全不同的。場效應(yīng)管是電壓驅(qū)動型器件，常用于驅(qū)動工作電壓不高的直流負載；晶閘管也叫可控硅，是電流觸發(fā)型器件，常用于驅(qū)動電壓較高、功率較大的負載。

場效應(yīng)管

場效應(yīng)管根據(jù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)排列不同，分為N溝道和P溝道兩種。N溝道場效應(yīng)管的襯底是P型半導(dǎo)體，P溝道的場效應(yīng)管的襯底是N型半導(dǎo)體。

當(dāng)在場效應(yīng)管的柵極(G)施加電壓時，柵極(G)和硅襯底之間的SiO2絕緣層中就會產(chǎn)生一個柵極(G)指向硅襯底的電場。氧化物層兩邊形成一個電容，門極電壓等于對電容充電，受電壓吸引，電容另一邊聚集大量電子，形成導(dǎo)電溝道，MOS管開始導(dǎo)通，電流可以從漏極(D)流向源極(S)，也可以從源極(S)流向漏極(D)。

場效應(yīng)管的導(dǎo)通內(nèi)阻很小，往往可以用來驅(qū)動工作電流很大的負載，電工動具、開關(guān)電源、DC-DC升壓電路都會應(yīng)用到場效應(yīng)管。使用場效應(yīng)管需要注意它的門極開啟電壓（Vgs），柵極(G)施加的電壓需要滿足它的要求才可以讓場效應(yīng)管穩(wěn)定、可靠的導(dǎo)通。

晶閘管

晶閘管又叫可控硅，分單向晶閘管（可控硅）和雙向單向晶閘管（可控硅），可用應(yīng)用于大功率負載的驅(qū)動。比如發(fā)熱管、交流電機等。

單向晶閘管（可控硅）：只能單向?qū)?，在G極施加一個觸發(fā)電流后，它就會導(dǎo)通，電流從A極流向K極。導(dǎo)通后，停止提供觸發(fā)電流，晶閘管還會維持導(dǎo)通。直至關(guān)斷負載電壓或者負載電壓反向。

雙向晶閘管（可控硅）：可以雙向?qū)ǎ贕極施加一個觸發(fā)電流后，電流可以從T1極流向T2極，也可以從T2極流向T1極。雙向可控硅往往應(yīng)用于交流負載器件的驅(qū)動。驅(qū)動雙向可控硅，需要在交流電每個過零點后都施加觸發(fā)電流。

歡迎關(guān)注@電子產(chǎn)品設(shè)計方案，一起享受分享與學(xué)習(xí)的樂趣！關(guān)注我，成為朋友，一起交流一起學(xué)習(xí)

• 記得點贊和評論哦！非常感謝！

晶閘管又稱可控硅，其與場效應(yīng)管一樣，皆為半導(dǎo)體器件，它們的外形封裝也基本一樣，但它們在電路中的用途卻不一樣?！?TO-220封裝的BT136雙向晶閘管。▲ TO-220封裝的N溝道MOS場效應(yīng)管。

晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們在電子電路中可以作為電子開關(guān)使用，用來控制負載的通斷；可以用來調(diào)節(jié)交流電壓，從而實現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外，單向晶閘管還可以用于整流。

晶閘管在日常中用的很廣，像家里用的聲控?zé)?，一般采用BT169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開關(guān)驅(qū)動燈泡工作。在白熾燈泡無級調(diào)光或電風(fēng)扇無級調(diào)速電路中，常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來實現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速?！?雙向晶閘管的電路符號。▲ MOS場效應(yīng)管的電路符號。

場效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件，其可以分為結(jié)型場效應(yīng)管和MOS場效應(yīng)管兩種，每種類型的場效應(yīng)管又有P溝道和N溝道之分。場效應(yīng)管在電子電路中既可以作為放大器件用來放大信號，又可以作為開關(guān)器件用來控制負載的通斷，故場效應(yīng)管的用途比晶閘管更廣一些。

在功放電路中，采用VMOS場效應(yīng)管作為功率放大元件，可以提高音質(zhì)；在開關(guān)電路中，驅(qū)動電機等大電流負載時，選用MOS場效應(yīng)管作為電子開關(guān)，可以減輕前級驅(qū)動電路的負擔(dān)（若選用晶閘管的話，需要從前級電路汲取較大的驅(qū)動電流）。

綜上，場效應(yīng)管和晶閘管的區(qū)別就是：場效應(yīng)管既可以放大信號，亦可以作為高速電子開關(guān)控制負載的通斷，同時還可以實現(xiàn)調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等功能，而晶閘管不能用來構(gòu)成放大器放大信號，用作電子開關(guān)時，工作頻率也不及場效應(yīng)管高，只能用于低速控制。

若想了解更多的電子電路及元器件知識，請關(guān)注本頭條號，謝謝。

場效應(yīng)管和晶閘管都是電子電路中常用的開關(guān)型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場效應(yīng)管包括結(jié)型場效應(yīng)管JFET和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。

1 什么是場效應(yīng)管

這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。從半導(dǎo)體的構(gòu)成方面可以分為NMOS和PMOS。這兩種MOS的電路符號如下圖所示：

PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體，在VGS<0時，會形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體，在VGS>0時，會形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。PMOS和NMOS的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示。

MOS管是電壓驅(qū)動型的器件，主要用作可控整流、功率開關(guān)、信號放大等，應(yīng)用比較廣泛。MOS管的通道依靠VGS的電平，對于NMOS而言，VGS >0時，NMOS導(dǎo)通，否則NMOS截止；對于PMOS而言，VGS<0，PMOS導(dǎo)通，否則截止。

2 什么是晶閘管

晶閘管是可控硅，按照導(dǎo)通方向可以分為單向SCR和雙向Triac，以單向可控硅為例，介紹其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，如下圖所示。

SCR由四層半導(dǎo)體構(gòu)成，具有三個PN結(jié)，如果斜著劈開的話，可以看作是PNP三極管和NPN三極管構(gòu)成的?？煽毓璧目刂品绞奖容^特殊。

對于單向可控硅而言，在觸發(fā)極加正向觸發(fā)電壓的同時，在陽極和陰極之間加正向電壓，則可控硅導(dǎo)通。導(dǎo)通后，把控制信號移除，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。要使可控硅關(guān)斷有如下兩個方法：

1.移除觸發(fā)信號，同時減小陽極電流使其小于維持電流；

2.移除觸發(fā)信號，同時將陽極的電源切斷。

雙向可控硅具有四個工作象限，可以參考下圖。

3 MOS管和可控硅的區(qū)別

MOS管的區(qū)別主要體現(xiàn)在作用和區(qū)別上。

兩者都可以作為功率開關(guān)來使用，但是MOS管還具有信號放大作用，而可控硅不具有信號放大作用。MOS管作為開關(guān)時開關(guān)速度要高于可控硅。

從控制方式上，MOS的VGS只要滿足條件就可以導(dǎo)通，移除控制信號后，MOS管就可以關(guān)斷?？煽毓柙趯?dǎo)通時，除了控制信號以外，還需要陽極和陰極之間有正向電壓。并且控制信號移除后，還需要將陽極的電壓切除或者使電流小于維持電流后才可以關(guān)斷。

可控硅的控制方式比MOS管要麻煩。

可控硅電路符號如下圖所示。

以上就是這個問題的回答，感謝留言、評論、轉(zhuǎn)發(fā)。更多電子設(shè)計、硬件設(shè)計、單片機等內(nèi)容請關(guān)注本頭條號：玩轉(zhuǎn)嵌入式。感謝大家。

到此，以上就是小編對于智能門控主板廠家電話的問題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于智能門控主板廠家電話的1點解答對大家有用。